VND5N071

￥ 0

VND5N071 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VND5N071 数据手册 (15 页)

封装尺寸在10 页 11 页 12 页 13 页

原理图在2 页

VND5N071 数据手册 (15 页)

或点击图片查看大图

VND5N071 数据手册

VND5N071 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.39 MByte

VND5 数据手册

VND5025AK-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS VND5025AK-E 双路驱动器芯片, 高压侧, 4.5V-36V电源, 41A输出, 50µs延迟, POWERSSO-24

VND5160JTR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

IC，高侧电源开关，STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。设计用于在恶劣的汽车环境中工作，它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路，用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关，STMicroelectronics

VND5012AK-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

IC，高侧电源开关，STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。设计用于在恶劣的汽车环境中工作，它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路，用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关，STMicroelectronics

VND5012AKTR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VND5012AK-E 系列 36 V 6 mA 双通道高边驱动器 - PowerSSO-24

VND5N07TR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VND5N07 单通道低边自保护 70 V 5 A 0.2 Ohm 功率MOSFET TO-252-3

VND5050JTR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VND5050J-E 系列 36 V 50 mΩ 双通道高压侧驱动器 - PowerSSO-12

VND5E025AKTR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

功率电子开关 VND5E025AKTR-E SOP-24-EP-300mil

VND5025AKTR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VND5025AK-E系列 36 V 25 mOhm 双通道高边驱动器 - PowerSSO-24

VND5050AJTR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

VND5050AJ 系列双 36 V 12 A 表面贴装高压侧驱动器 - PowerSSO-12

VND5N07-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制热关闭短路保护 ESD 保护一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

SMAJ30A AD9361BBCZ EP4CE40F23C8N ALQ124 CD4016BE BAT54JFILM MC34063ADR2G SN74LV1T125DBVR

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z