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器件3D模型
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VND5N07TRE 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
FET驱动器
封装:
TO-252
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
VND5N07TRE 数据手册 (15 页)
封装尺寸
在
10 页
11 页
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13 页
原理图
在
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VND5N07TRE 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252
漏源极电阻
200 mΩ
极性
N-Channel
功耗
60.0 W
漏源击穿电压
70.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.00 A
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VND5N07TRE 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
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VND5N07TRE
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ST Microelectronics(意法半导体)
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VND5N07 数据手册
VND5N07
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? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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OMNIFET :完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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OMNIFET IIfully autoprotected功率MOSFET OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET
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FI
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? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ?OMNIFET?: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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FM
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ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET :完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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TRE
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