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VND5N07TR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-252-3

描述:

VND5N07 单通道低边自保护 70 V 5 A 0.2 Ohm 功率MOSFET TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VND5N07TR-E 数据手册 (22 页)

原理图在5 页

VND5N07TR-E 数据手册 (22 页)

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VND5N07TR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

输出接口数

1 Output

输出电流

7 A

供电电流

0.25 mA

针脚数

3 Position

漏源极电阻

200 mΩ

极性

N-Channel

功耗

60 W

漏源击穿电压

70.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

输入电压(Max)

18 V

输出电流(Max)

3.5 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

60000 mW

输入电压

18 V

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VND5N07TR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VND5N07TR-E 符合标准

VND5N07TR-E 海关信息

VND5N07TR-E 概述

VND5N07TR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 0.35 MByte

VND5N07TR-E 其他数据使用手册

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23 页 / 0.33 MByte

VND5N07TR-E 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

36 页 / 0.37 MByte

VND5N07TR-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

5 页 / 0.04 MByte

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