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VNN1NV04PTR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

电源管理

封装:

TO-261-4

描述:

STMICROELECTRONICS VNN1NV04PTR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VNN1NV04PTR-E 数据手册 (28 页)

原理图在5 页

VNN1NV04PTR-E 数据手册 (28 页)

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VNN1NV04PTR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

TO-261-4

输出接口数

1 Output

输出电流

3.5 A

供电电流

0.1 mA

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.25 Ω

极性

N-Channel

功耗

7 W

阈值电压

500 mV

漏源极电压(Vds)

45 V

上升时间

500 ns

输出电流(Max)

1.7 A

输出电流(Min)

1.7 A

输入数

1 Input

下降时间

600 ns

耗散功率(Max)

7000 mW

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VNN1NV04PTR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

VNN1NV04PTR-E 符合标准

VNN1NV04PTR-E 海关信息

VNN1NV04PTR-E 概述

VNN1NV04PTR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

28 页 / 0.44 MByte

VNN1NV04PTR-E 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 1.77 MByte

VNN1NV04PTR-E 产品修订记录

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8 页 / 0.21 MByte

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