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VNP10N06-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

电源管理

封装:

TO-220-3

描述:

VNP10N06 系列 60 V 10 A 0.3 Ohm 完全汽车保护功率 Mosfet - TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNP10N06-E 数据手册 (11 页)

原理图在1 页

VNP10N06-E 数据手册 (11 页)

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VNP10N06-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

输出接口数

1 Output

输出电流

15 A

供电电流

0.15 mA

针脚数

3 Position

漏源极电阻

300 mΩ

极性

N-Channel

功耗

42000 mW

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

输出电流(Max)

6 A

输出电流(Min)

6 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

42000 mW

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VNP10N06-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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VNP10N06-E 符合标准

VNP10N06-E 海关信息

VNP10N06-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.35 MByte

VNP10N06-E 其他数据使用手册

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17 页 / 0.18 MByte

VNP10N06-E 产品修订记录

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30 页 / 0.31 MByte

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