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VNP35N07FI
2.972
VNP35N07FI 数据手册 (13 页)
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VNP35N07FI 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
ISOWATT-220-3
输出接口数
1 Output
供电电流
0.25 mA
漏源极电阻
28.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
40000 mW
漏源击穿电压
70.0 V
连续漏极电流(Ids)
35.0 A
输出电流(Max)
25 A
输出电流(Min)
25 A
耗散功率(Max)
40000 mW

VNP35N07FI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
高度
16.4 mm

VNP35N07FI 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.23 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.13 MByte

VNP35N07 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VNP35N07-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
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