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VNP49N04-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VNP49N04-E 数据手册 (11 页)

原理图在1 页

VNP49N04-E 数据手册 (11 页)

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VNP49N04-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

800 mV

漏源极电压(Vds)

42 V

漏源击穿电压

42.0 V

连续漏极电流(Ids)

49.0 A

输出电流(Max)

30 A

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VNP49N04-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

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VNP49N04-E 符合标准

VNP49N04-E 海关信息

VNP49N04-E 概述

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