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VNP49N04FI 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

ISOWATT-220-3

描述:

？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNP49N04FI 数据手册 (17 页)

原理图在1 页

VNP49N04FI 数据手册 (17 页)

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VNP49N04FI 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

42.0 V

额定电流

49.0 A

封装

ISOWATT-220-3

输出接口数

1 Output

漏源极电阻

40.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

40.0 W

漏源击穿电压

42.0 V

连续漏极电流(Ids)

49.0 A

输出电流(Max)

28 A

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VNP49N04FI 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

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VNP49N04FI 符合标准

VNP49N04FI 海关信息

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