器件3D模型

￥ 1.211

VNS14NV04 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNS14NV04 数据手册 (31 页)

封装尺寸在24 页 25 页 26 页 27 页 28 页 29 页

原理图在5 页

VNS14NV04 数据手册 (31 页)

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VNS14NV04 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出接口数

1 Output

通道数

1 Channel

漏源极电阻

35.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

4.60 W

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

输出电流(Max)

12 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

74000 mW

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VNS14NV04 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNS14NV04 符合标准

VNS14NV04 海关信息

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