器件3D模型

￥ 0.62

VNS1NV04 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SO-8

描述:

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNS1NV04 数据手册 (33 页)

原理图在5 页

VNS1NV04 数据手册 (33 页)

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VNS1NV04 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

输出接口数

2 Output

通道数

1 Channel

漏源极电阻

250 mΩ

极性

N-Channel

功耗

8300 mW

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.70 A

上升时间

170 ns

输入数

1 Input

下降时间

200 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

8300 mW

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VNS1NV04 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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VNS1NV04 符合标准

VNS1NV04 海关信息

VNS1NV04 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

33 页 / 0.39 MByte

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