器件3D模型

￥ 0.458

VNS1NV04D 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

开关电源

封装:

SOIC

描述:

“ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNS1NV04D 数据手册 (21 页)

引脚图在6 页Hot

封装尺寸在19 页

原理图在5 页

VNS1NV04D 数据手册 (21 页)

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VNS1NV04D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

通道数

2 Channel

漏源极电阻

250 mΩ

极性

N-Channel

功耗

4 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.70 A

钳位电压

45 V

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VNS1NV04D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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VNS1NV04D 符合标准

VNS1NV04D 海关信息

VNS1NV04D 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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