器件3D模型

￥ 0.419

VNS1NV04DPTR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

STMICROELECTRONICS VNS1NV04DPTR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNS1NV04DPTR-E 数据手册 (24 页)

原理图在5 页

VNS1NV04DPTR-E 数据手册 (24 页)

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VNS1NV04DPTR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

4 W

输出接口数

2 Output

输出电流

1.7 A

供电电流

0.1 mA

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.25 Ω

极性

N-Channel

功耗

4 W

阈值电压

500 mV

漏源极电压(Vds)

45 V

输出电流(Max)

1.7 A

输出电流(Min)

1.7 A

输入数

1 Input

耗散功率(Max)

4000 mW

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VNS1NV04DPTR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNS1NV04DPTR-E 符合标准

VNS1NV04DPTR-E 海关信息

VNS1NV04DPTR-E 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 0.39 MByte

VNS1NV04DPTR-E 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

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