器件3D模型

￥ 6.229

VNS1NV04DTR-E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VNS1NV04DTR-E 数据手册 (14 页)

原理图在1 页

VNS1NV04DTR-E 数据手册 (14 页)

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VNS1NV04DTR-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出接口数

2 Output

漏源极电阻

250 mΩ

极性

N-Channel

功耗

4.00 W

漏源击穿电压

40.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.70 A

输出电流(Max)

1.7 A

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VNS1NV04DTR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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VNS1NV04DTR-E 符合标准

VNS1NV04DTR-E 海关信息

VNS1NV04DTR-E 概述

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14 页 / 0.24 MByte

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