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Datasheet 搜索 > 电源管理 > ST Microelectronics(意法半导体) > VNS1NV04PTR-E Datasheet 文档
VNS1NV04PTR-E
器件3D模型
0.726
VNS1NV04PTR-E 数据手册 (28 页)
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VNS1NV04PTR-E 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
输出电流
3.5 A
供电电流
0.1 mA
针脚数
8 Position
功耗
8.3 W
输出电流(Max)
1.7 A
输出电流(Min)
1.7 A
输入数
1 Input
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
8300 mW

VNS1NV04PTR-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃

VNS1NV04PTR-E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
28 页 / 0.44 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.11 MByte

VNS1NV04 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VNS1NV04DPTR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VNS1NV04DP-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV
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