器件3D模型

￥ 0.99

VOL3120T 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

封装:

SOIC-6

描述:

门驱动器 2.5A IGBT & MOSFET UL, cUL, CQC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VOL3120T 数据手册 (10 页)

VOL3120T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC-6

上升/下降时间

100 ns

输出电流

2.5 A

通道数

1 Channel

正向电压

1.36 V

上升时间

0.1 µs

隔离电压

5300 Vrms

正向电流

25 mA

下降时间

0.1 µs

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VOL3120T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 100℃

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VOL3120T 符合标准

VOL3120T 海关信息

VOL3120T 概述

VOL3120T 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.18 MByte

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