￥ 0.396

VP2106N3-G 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:

Microchip（微芯）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。### MOSFET 晶体管，Microchip

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VP2106N3-G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

VP2106N3-G 数据手册 (5 页)

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VP2106N3-G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-92-3

额定功率

1 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

9 Ω

功耗

0.74 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

60pF @25V(Vds)

下降时间

4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1W (Tc)

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VP2106N3-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bag

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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VP2106N3-G 符合标准

VP2106N3-G 概述

VP2106N3-G 数据手册

Microchip（微芯）

5 页 / 0.61 MByte

VP2106N3-G 其他数据使用手册

Microchip（微芯）

6 页 / 0.13 MByte

VP2106N3-G 产品修订记录

Microchip（微芯）

3 页 / 0.5 MByte

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