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VQ1000P
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VQ1000P 数据手册 (6 页)
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VQ1000P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
封装
TO-226
漏源极电阻
5.50 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.30 W
漏源极电压(Vds)
60.0 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
830 mA

VQ1000P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube

VQ1000P 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.05 MByte

VQ1000 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
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