￥ 48.972

VQ1001P 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP-14

描述:

四N通道30 -V （D -S ）的MOSFET Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VQ1001P 数据手册 (5 页)

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VQ1001P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

14 Pin

封装

DIP-14

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.00 A

工作温度(Max)

150 ℃

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VQ1001P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

19.56 mm

宽度

7.87 mm

高度

4.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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VQ1001P 符合标准

VQ1001P 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.04 MByte

VQ1001P 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

4 页 / 0.04 MByte

VQ1001P 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.04 MByte

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