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VQ1001P-2
11.772
VQ1001P-2 数据手册 (5 页)
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VQ1001P-2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
PDIP-14
漏源极电阻
1 Ω
极性
4*N-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
830mA

VQ1001P-2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
25

VQ1001P-2 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.04 MByte
VISHAY(威世)
4 页 / 0.17 MByte
VISHAY(威世)
139 页 / 1.57 MByte

VQ1001 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
四N通道30 -V (D -S )的MOSFET Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
四N通道30 -V (D -S )的MOSFET Quad N-Channel 30-V (D-S) MOSFETs
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
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