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VQ1004P
器件3D模型
119.067

VQ1004P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
封装
DIP
漏源极电阻
3.50 Ω
极性
N-Channel
功耗
-
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
460 mA

VQ1004P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube

VQ1004P 数据手册

Vishay Siliconix
1 页 / 0.17 MByte
Vishay Siliconix
6 页 / 0.12 MByte

VQ1004 数据手册

Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
N通道60 -V ( D- S)单和四的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N通道60 -V ( D- S)单和四的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
N通道60 -V ( D- S)单和四的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
VISHAY(威世)
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