器件3D模型

￥ 19.62

VQ1004P-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

DIP-14

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

VQ1004P-E3 数据手册 (6 页)

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VQ1004P-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

14 Pin

封装

DIP-14

漏源极电阻

3.5 Ω

极性

4*N-CH

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

460mA

输入电容值(Ciss)

35pF @24V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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VQ1004P-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

材质

Silicon

最小包装数量

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VQ1004P-E3 符合标准

VQ1004P-E3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.05 MByte

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