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器件3D模型
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VQ1006P-E3 数据手册 - VISHAY(威世)
制造商:
VISHAY(威世)
封装:
PDIP-14
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
VQ1006P-E3 数据手册
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VQ1006P-E3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
14 Pin
封装
PDIP-14
漏源极电阻
4.5 Ω
极性
4*N-CH
漏源极电压(Vds)
90 V
连续漏极电流(Ids)
400mA
输入电容值(Ciss)
35pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1300 mW
VQ1006P-E3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
材质
Silicon
最小包装数量
25
VQ1006P-E3 符合标准
VQ1006P-E3 数据手册
VQ1006P-E3
其他数据使用手册
VISHAY(威世)
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VQ1006 数据手册
VQ1006
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N沟道80-和90 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
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