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VS-25F120
3.454
VS-25F120 数据手册 (6 页)
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VS-25F120 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
2 Pin
封装
DO-203AA
正向电压
1.3V @78A
正向电流
25 A
最大正向浪涌电流
373 A
正向电压(Max)
900 mV
正向电流(Max)
25 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

VS-25F120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
12.69 mm
宽度
11 mm
高度
31.8 mm

VS-25F120 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.15 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.14 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
1 页 / 0.13 MByte

VS25 数据手册

VISHAY(威世)
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
VISHAY(威世)
标准恢复整流器,11A 至 40A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
VISHAY(威世)
标准恢复二极管(梭哈版) , 25 A Standard Recovery Diodes (Stud Version), 25 A
Vishay Semiconductor(威世)
肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 78-VS-25CTQ045-M3
VISHAY(威世)
标准恢复整流器,11A 至 40A采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
VISHAY(威世)
晶闸管高电压,相位控制可控硅, 25 A Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 25 A
VISHAY(威世)
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
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