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VS-25TTS12-M3
0.389
VS-25TTS12-M3 数据手册
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VS-25TTS12-M3 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
保持电流(Max)
150 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

VS-25TTS12-M3 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.18 MByte

VS25TTS12 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
VISHAY(威世)
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
VISHAY(威世)
晶闸管高电压,相位控制可控硅, 25 A Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 25 A
VISHAY(威世)
相位控制闸流晶体管,Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
Vishay Semiconductor(威世)
晶闸管高电压,相位控制可控硅, 25 A Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 25 A
VISHAY(威世)
晶闸管高电压,相位控制可控硅, 25 A Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 25 A
Vishay Semiconductor(威世)
晶闸管,表面贴装,相位控制可控硅, 16 A Thyristor, Surface Mount, Phase Control SCR, 16 A
Vishay Semiconductor(威世)
晶闸管,表面贴装,相位控制可控硅, 16 A Thyristor, Surface Mount, Phase Control SCR, 16 A
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  VS-25TTS12FPPBF  晶闸管, SCR, 16A, 1200V, TO-220 FULLPAK
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备,具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关,当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用,并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
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