VS-50RIA120 数据手册 - VISHAY（威世）

相位控制闸流晶体管，Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。

高性能肖特基二极管，Vishay Semiconductor肖特基整流器是半导体二极管，具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常快。 肖特基二极管适用于需要快速切换和低功耗的应用。 Vishay 高性能肖特基二极管提供 1A 至 175A 的正向额定电流和 15V 至 150V 的额定电压。### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。

肖特基整流器, 100 V, 5.5 A, 单, TO-252AA, 3 引脚, 770 mV

相位控制闸流晶体管，Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。

VISHAY  VS-50WQ06FNPBF.  小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 5.5 A, 570 mV, 320 A, 150 °C

VISHAY  VS-50RIA60.  晶闸管, 600 V, 100 mA, 50 A, 80 A, TO-208AC, 3 引脚

相位控制闸流晶体管，Vishay Semiconductor### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。