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VSMY7850X01-GS08
2.89
VSMY7850X01-GS08 数据手册 (6 页)
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VSMY7850X01-GS08 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
2 Pin
封装
SMD-2
正向电压
2 V
波长
850 nm
视角
120°
峰值波长
850 nm
功耗
2500 mW
上升时间
20 ns
测试电流
1000 mA
正向电流
1 A
正向电压(Max)
2.5 V
正向电流(Max)
1000 mA
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

VSMY7850X01-GS08 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 100℃

VSMY7850X01-GS08 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.14 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.14 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.14 MByte

VSMY7850X01 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
高功率红外发光二极管, 850纳米,表面发射器技术 High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  VSMY7850X01-GS08  红外发光二极管, 850NM, SMD
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