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VSMY7850X01-GS08 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

光源与发射器

封装:

SMD-2

描述:

VISHAY VSMY7850X01-GS08 红外发光二极管, 850NM, SMD

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VSMY7850X01-GS08 数据手册 (7 页)

封装尺寸在5 页

VSMY7850X01-GS08 数据手册 (7 页)

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VSMY7850X01-GS08 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

封装

SMD-2

额定功率

2.5 W

上升/下降时间

0.0165 µs

正向电压

2 V

波长

850 nm

视角

120°

峰值波长

850 nm

功耗

2500 mW

上升时间

15 ns

测试电流

1000 mA

正向电流

1 A

正向电压(Max)

2.5 V

正向电流(Max)

1000 mA

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

100 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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VSMY7850X01-GS08 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.4 mm

工作温度

-40℃ ~ 100℃ (TA)

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VSMY7850X01-GS08 符合标准

VSMY7850X01-GS08 海关信息

VSMY7850X01-GS08 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.16 MByte

VSMY7850X01-GS08 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.13 MByte

VSMY7850X01-GS08 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.14 MByte

VSMY7850X01-GS08 产品样片图册

Vishay Semiconductor（威世）

1 页 / 0.12 MByte

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VISHAY（威世）

高功率红外发光二极管， 850纳米，表面发射器技术 High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

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