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VSMY98545DS
2.422
VSMY98545DS 数据手册 (7 页)
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VSMY98545DS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SMD-2
上升/下降时间
0.030 µs
正向电压
3.2 V
波长
850 nm
视角
90°
峰值波长
850 nm
功耗
3600 mW
上升时间
30 ns
测试电流
1000 mA
正向电流
1 A
正向电压(Max)
3.6 V
正向电流(Max)
1000 mA
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
110 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
3600 mW

VSMY98545DS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
高度
2.24 mm
工作温度
-40℃ ~ 110℃ (TA)

VSMY98545DS 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.25 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 0.24 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
2 页 / 0.13 MByte

VSMY98545 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  VSMY98545  红外发射器, 高功率, 45 °, SMD, 1 A, 2.3 V, 15 ns, 18 ns
VISHAY(威世)
850 nm 视角 ± 45° 350 mW/sr 表面贴装 大功率 红外发光二极管
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
850nm,1A,高功率红外发射器
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  VSMY98545DS  红外发射器, 90 °, SMD, 1 A, 3.6 V, 30 ns, 30 ns
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
红外发射器 - 大功率 850nm 380mW/Sr 15ns High pwr w/lens
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