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VT6K1T2CR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SMD-6

描述:

场效应管(MOSFET) VT6K1T2CR UDFN-6(1x1.2)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VT6K1T2CR 数据手册 (13 页)

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VT6K1T2CR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SMD-6

极性

N-CH

功耗

0.15 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.1A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

7.1pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

120 mW

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150 mW

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VT6K1T2CR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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VT6K1T2CR 符合标准

VT6K1T2CR 概述

VT6K1T2CR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.14 MByte

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