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WNB1K0FET
0.32
WNB1K0FET 数据手册 (2 页)
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WNB1K0FET 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
1.00 kV
容差
±1 %
封装
Axial
额定功率
1 W
零部件系列
WN
电阻
1 KΩ
阻值偏差
±1 %

WNB1K0FET 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
7 mm
直径
3.00 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
温度系数
±20 ppm/℃
最小包装数量
1000

WNB1K0FET 数据手册

Ohmite
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Ohmite
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