XN09D6100L 数据手册 - Panasonic（松下）

●三极管BJT类型 TYPE| PNP \---|--- 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -15V 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -15V 三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -1.5A 三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 270MHz 三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| -100mA 三极管BJT管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| -90~-200mV 二极管DIODE类型 TYPE| 肖特基-单管 SBD-Single 二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage| 20V 二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current| 700mA 二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf)| 450mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 600mW Description & Applications| Features • Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD) • Two elements incorporated into one package (Tr + SBD) • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Applications • For DC-DC converter 描述与应用| 特点 •PNP硅外延平面型（TR）硅外延平面型（SBD） •两个要素纳入一个封装（TR + SBD） •减少安装面积和装配成本的一半 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat） 应用 •对于DC-DC转换器