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ZTX853STZ
0.465
ZTX853STZ 数据手册 (3 页)
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ZTX853STZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
4.00 A
封装
E-Line-3
极性
NPN
功耗
1.2 W
增益频宽积
130 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
100 @2A, 2V
额定功率(Max)
1.2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1200 mW

ZTX853STZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
高度
4.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 200℃ (TJ)

ZTX853STZ 数据手册

Diodes(美台)
3 页 / 0.06 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte

ZTX853 数据手册

Diodes(美台)
ZTX853 编带
Diodes Zetex(捷特科)
Diodes(美台)
ZTX853 系列 NPN 4 A 100 V 硅 平面 中等功率 晶体管 - TO-92-3
Diodes(美台)
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
Diodes Zetex(捷特科)
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