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ZVN0545A
0.271
ZVN0545A 数据手册 (1 页)
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ZVN0545A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
450 V
额定电流
90.0 mA
封装
TO-92-3
漏源极电阻
50 Ω
极性
N-Channel
功耗
700 mW
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
450 V
漏源击穿电压
450 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
90.0 mA
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
70pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
700 mW
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
700 mW

ZVN0545A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
高度
4.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZVN0545A 数据手册

Diodes(美台)
1 页 / 0.02 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.08 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZVN0545 数据手册

Diodes(美台)
DIODES INC.  ZVN0545GTA  晶体管, MOSFET, N沟道, 140 mA, 450 V, 50 ohm, 10 V, 3 V
Diodes(美台)
N沟道 450V 90mA
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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