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ZVN3320ASTOA 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVN3320ASTOA 数据手册 (1 页)

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ZVN3320ASTOA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

200 V

额定电流

100 mA

封装

TO-92-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

25 Ω

极性

N-Channel

功耗

330 mW

输入电容

45.0 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

60.0 mA

输入电容值(Ciss)

45pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

625 mW

耗散功率(Max)

625mW (Ta)

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ZVN3320ASTOA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

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Vishay Semiconductor（威世）

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