￥ 0.246

ZVN4525E6TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-6

描述:

DIODES INC. ZVN4525E6TA 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 230 mA, 250 V, 8.5 ohm, 10 V, 1.4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVN4525E6TA 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

ZVN4525E6TA 数据手册 (7 页)

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ZVN4525E6TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

250 V

额定电流

230 mA

封装

SOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

8.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.1 W

阈值电压

1.4 V

输入电容

72.0 pF

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

250 V

栅源击穿电压

±40.0 V

连续漏极电流(Ids)

230 mA

上升时间

1.7 ns

输入电容值(Ciss)

72pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1.1 W

下降时间

3.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1100 mW

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ZVN4525E6TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZVN4525E6TA 符合标准

ZVN4525E6TA 海关信息