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ZVN4525E6TC
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ZVN4525E6TC 数据手册 (7 页)
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ZVN4525E6TC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-6
极性
N-CH
功耗
1.1W (Ta)
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
0.23A
输入电容值(Ciss)
72pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
1.1W (Ta)

ZVN4525E6TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZVN4525E6TC 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
7 页 / 1 MByte

ZVN4525E6 数据手册

Diodes(美台)
DIODES INC.  ZVN4525E6TA  晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 230 mA, 250 V, 8.5 ohm, 10 V, 1.4 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
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