￥ 0.226

ZVNL110GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

ZVNL110G 100 V 4.5 Ohm N 沟道增强模式垂直 DMOS FET - SOT-223

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVNL110GTA 数据手册 (7 页)

封装尺寸在5 页

ZVNL110GTA 数据手册 (7 页)

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ZVNL110GTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

600 mA

封装

TO-261-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

4.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

输入电容

75.0 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

600 mA

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

75pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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ZVNL110GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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ZVNL110GTA 符合标准

ZVNL110GTA 海关信息

ZVNL110GTA 数据手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.53 MByte

ZVNL110GTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZVNL110GTA 开发手册

Diodes（美台）

6 页 / 0.57 MByte

ZVNL110GTA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

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