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ZXGD3101N8TA
器件3D模型
0.231
ZXGD3101N8TA 数据手册 (14 页)
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ZXGD3101N8TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
输出接口数
1 Output
功耗
490 mW
下降时间(Max)
20 ns
上升时间(Max)
305 ns
耗散功率(Max)
490 mW

ZXGD3101N8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-40℃ ~ 150℃

ZXGD3101N8TA 数据手册

Diodes(美台)
14 页 / 0.35 MByte

ZXGD3101N8 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZXGD3101N8TC  理想二极管替代, 5-15Vcc量程, 15ns关闭传播延迟, SOIC-8
Diodes Zetex(捷特科)
Diodes Inc### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Diodes Inc
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
ZXGD3101N8TA , MOSFET 功率驱动器, 7A, 8针 SOIC封装
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