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ZXM61P02FTC
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ZXM61P02FTC 数据手册 (7 页)
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ZXM61P02FTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-800 mA
封装
SOT-23-3
漏源极电阻
900 mΩ
极性
P-Channel
功耗
625mW (Ta)
输入电容
150 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
900 mA
上升时间
6.70 ns
输入电容值(Ciss)
150pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

ZXM61P02FTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXM61P02FTC 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.58 MByte
Diodes(美台)
43 页 / 0.14 MByte
Diodes(美台)
81 页 / 1.43 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.22 MByte

ZXM61P02 数据手册

Diodes(美台)
ZXM61P02F 系列 20V 0.6 Ohm P-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-23
Zetex
ZXM61P02FTA P沟道MOS场效应管 -20V -0.9A 0.6ohm SOT-23 marking/标记 P02 低导通电阻 快速开关
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZXM61P02F  晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -20 V, 600 mohm, 4.5 V, -700 mV
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
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