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器件3D模型
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ZXM62P03GTA 数据手册 - Diodes(美台)
制造商:
Diodes(美台)
封装:
TO-261-4
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
ZXM62P03GTA 数据手册
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ZXM62P03GTA 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-4.00 A
封装
TO-261-4
漏源极电阻
230 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2W (Ta)
输入电容
330 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 A
上升时间
6.40 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2W (Ta)
ZXM62P03GTA 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
ZXM62P03GTA 符合标准
ZXM62P03GTA 数据手册
ZXM62P03GTA
产品封装文件
Diodes(美台)
8 页 / 0.27 MByte
ZXM62P03 数据手册
ZXM62P03
E6TA
数据手册
Diodes(美台)
P沟道 30V 1.5A
ZXM62P03
E6
数据手册
Zetex
ZXM62P03
E6
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Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. ZXM62P03E6 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 110 mohm, 10 V, -1 V
ZXM62P03
E6
数据手册
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 0.11 ohm, 10 V, -1 V
ZXM62P03
E6TC
数据手册
Zetex
ZXM62P03
E6TC
数据手册
Diodes(美台)
ZXM62P03
G
数据手册
Zetex
ZXM62P03
E6TA
数据手册
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
ZXM62P03
GTA
数据手册
Diodes(美台)
ZXM62P03
E6_05
数据手册
Zetex
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