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ZXMD63C03XTA
器件3D模型
0.93
ZXMD63C03XTA 数据手册 (11 页)
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ZXMD63C03XTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
MSOP-8
额定功率
1.25 W
漏源极电阻
135 mΩ, 185 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
870 mW
输入电容
270 pF
栅电荷
7.00 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
±30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
4.80 ns
输入电容值(Ciss)
290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.04 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1250 mW

ZXMD63C03XTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
3.1 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMD63C03XTA 数据手册

Diodes(美台)
11 页 / 0.27 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
13 页 / 0.36 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMD63C03 数据手册

Diodes(美台)
ZXMD63C03X 系列 30 V 0.135 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-MSOP-8
Diodes Zetex(捷特科)
N/P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMD63C03X  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor(威世)
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