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ZXMD63C03XTC
器件3D模型
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ZXMD63C03XTC 数据手册 (12 页)
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ZXMD63C03XTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TSSOP-8
通道数
2 Channel
极性
N+P
功耗
870 mW
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.3A/2A
输入电容值(Ciss)
290pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.04 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

ZXMD63C03XTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMD63C03XTC 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
12 页 / 0.36 MByte

ZXMD63C03 数据手册

Diodes(美台)
ZXMD63C03X 系列 30 V 0.135 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-MSOP-8
Diodes Zetex(捷特科)
N/P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMD63C03X  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.3 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
Vishay Semiconductor(威世)
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