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ZXMN10A08E6
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ZXMN10A08E6 数据手册 (8 页)
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ZXMN10A08E6 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
6 Pin
封装
SOT-23
漏源极电阻
0.4 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.7 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
1.50 A
工作温度(Max)
150 ℃

ZXMN10A08E6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)

ZXMN10A08E6 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.22 MByte

ZXMN10A08 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
ZXMN10A08G 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 -SOT-223-3
Diodes(美台)
ZXMN10A08E6TA 编带
Diodes(美台)
ZXMN10A08 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
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