￥ 0.3

ZXMN10A11KTC 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ZXMN10A11KTC 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

ZXMN10A11KTC 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

ZXMN10A11KTC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

350 mΩ

极性

N-CH

功耗

8.5 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

3.5A

上升时间

1.7 ns

输入电容值(Ciss)

274pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

2.11 W

下降时间

3.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2.11W (Ta)

查看数据手册 >

ZXMN10A11KTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

ZXMN10A11KTC 符合标准

ZXMN10A11KTC 海关信息

ZXMN10A11KTC 概述

ZXMN10A11KTC 数据手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.64 MByte

ZXMN10A11KTC 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

ZXMN10A11 数据手册

ZXMN10A11GTA 数据手册

Diodes（美台）

ZXMN10A11GTA 编带

ZXMN10A11KTC 数据手册

Diodes（美台）

ZXMN10A11GTA 数据手册

Zetex

ZXMN10A11G 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

DIODES INC. ZXMN10A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

ZXMN10A11G 数据手册

Diodes（美台）

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V

ZXMN10A11GTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZXMN10A11K 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

ZXMN10A11GFTA 数据手册

Zetex

ZXMN10A11KTC 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZXMN10A11GTC 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号