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ZXMN10B08E6TA
0.194
ZXMN10B08E6TA 数据手册 (7 页)
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ZXMN10B08E6TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
1.90 A
封装
SOT-23-6
漏源极电阻
230 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.7 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.90 A
上升时间
2.1 ns
输入电容值(Ciss)
497pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.1W (Ta)

ZXMN10B08E6TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN10B08E6TA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.2 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.31 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.19 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZXMN10B08E6 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
N沟道 100V 1.6A
Zetex
ZXMN10B08E6TA N沟道MOSFET 35V 6.7A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 10B8 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
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