器件3D模型

￥ 0.117

ZXMN2A04DN8TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ZXMN2A04 系列双通道 20 V 0.025 Ohm N 沟道增强模式 MOSFET - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXMN2A04DN8TA 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

ZXMN2A04DN8TA 数据手册 (7 页)

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ZXMN2A04DN8TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

6.00 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

35.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.1 W

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.70 A

上升时间

14.8 ns

输入电容值(Ciss)

1880pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

下降时间

30.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2100 mW

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ZXMN2A04DN8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZXMN2A04DN8TA 符合标准

ZXMN2A04DN8TA 数据手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.17 MByte

ZXMN2A04DN8TA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

199 页 / 0.86 MByte

ZXMN2A04DN8TA 产品封装文件

Diodes（美台）

8 页 / 0.17 MByte

ZXMN2A04DN8TA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.17 MByte

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