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ZXMN3A04DN8TA
器件3D模型
0.66
ZXMN3A04DN8TA 数据手册 (7 页)
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ZXMN3A04DN8TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
6.80 A
封装
SOIC-8
通道数
2 Channel
漏源极电阻
30.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.15 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.50 A
上升时间
6.1 ns
输入电容值(Ciss)
1890pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.81 W
下降时间
20.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2150 mW

ZXMN3A04DN8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
4 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN3A04DN8TA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 1.07 MByte
Diodes(美台)
12 页 / 0.67 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMN3A04DN8 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
ZXMN3A04DN8 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
Diodes Zetex(捷特科)
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