器件3D模型

￥ 0.405

ZXMN3B04N8TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

场效应管(MOSFET) ZXMN3B04N8TA SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

ZXMN3B04N8TA 数据手册 (183 页)

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ZXMN3B04N8TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

7.60 A

封装

SOIC-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

25 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.90 A

上升时间

11.5 ns

输入电容值(Ciss)

2480pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

16.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

ZXMN3B04N8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN3B04N8TA 符合标准

ZXMN3B04N8TA 概述

ZXMN3B04N8TA 数据手册

ZXMN3B04N8TA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZXMN3B04N8TA 开发手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.51 MByte

ZXMN3B04N8TA 产品封装文件

Diodes（美台）

7 页 / 0.16 MByte

ZXMN3B04N8TA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.17 MByte

ZXMN3B04N8 数据手册

Zetex

ZXMN3B04N8TA 数据手册

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场效应管(MOSFET) ZXMN3B04N8TA SO-8

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