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ZXMN6A08KTC
0.181
ZXMN6A08KTC 数据手册 (8 页)
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ZXMN6A08KTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-CH
功耗
8.94 W
输入电容
459 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
7.9A
上升时间
2.1 ns
输入电容值(Ciss)
459pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
2.12 W
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.12W (Ta)

ZXMN6A08KTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN6A08KTC 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.64 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.45 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.45 MByte

ZXMN6A08 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
ZXMN6A08E6TA 编带
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZXMN6A08GTA SOT-223
Diodes(美台)
N沟道 60V 7.9A
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN6A08E6  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.1 ohm, 10 V, 1 V
Diodes(美台)
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