器件3D模型

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ZXMN6A09DN8TC 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

晶体管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

ZXMN6A09DN8TC 数据手册 (7 页)

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ZXMN6A09DN8TC 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

4.40 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

45.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.10 A

上升时间

5.00 ns

输入电容值(Ciss)

1407pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

ZXMN6A09DN8TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape, Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN6A09DN8TC 符合标准

ZXMN6A09DN8TC 数据手册

ZXMN6A09DN8TC 产品封装文件

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.45 MByte

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